AI产业全景透视之：3D NAND：以钼代钨

AI产业链全景梳理系列正式开启，本期聚焦3D NAND技术，探讨其材料革新与市场机遇。

本期核心主题是3D NAND，我们将借助专业投研工具进行分析解读。

本文采用简洁高效的叙述风格，力求在短时间内呈现核心信息。

（1）3D NAND：用层数换密度

NAND即NAND Flash（闪存），得名于其存储单元串联结构在电路上等效于“与非门”（Not AND）。

3D NAND采用垂直堆叠存储单元的闪存技术，与2D NAND在单层平面上排列的方式截然不同。

其本质在于平面微缩逼近物理极限后转向垂直方向，通过增加层数来提升存储密度。

当前3D NAND的堆叠层数沿着200层→375层→480层→604层的路径演进，每提升一级，字线更细更深，从而催生了“以钼代钨”的需求。

（2）字线金属“以钼代钨”已成确定趋势

字线（Word Line）是3D NAND闪存芯片内部水平控制线路，连接各层存储单元的控制栅极，用于选择并操作特定行的存储单元。

可以将3D NAND比作一栋几百层的高楼，每层拥有大量“存储房间”（即存储单元）。

字线相当于每层楼的“电线开关”，通过给特定楼层通电来选中该层进行数据读写。

堆叠层数增加导致字线长度增加（L变大）且截面积减小（A变小）。

图：产业链数据总结

在极端尺寸下，钨的电阻急剧上升，引发信号延迟和发热；而钼电阻率更低且无需额外阻挡层，成为高层堆叠的必然选择。

SK海力士375层3D NAND生产验证于6月11日完成，计划年底在清州M15量产，表明钼替代钨已从趋势变为正在落地的产业拐点。

图：产业链数据总结

（3）半导体级钼不带来总量冲击，关注高纯溢价

半导体级钼为超高纯度钼粉（纯度5N以上），与工业用钼属于不同产品形态，二者几乎不互通。

3D NAND字线采用“替换栅”工艺，先去除牺牲层（SiN）形成极窄深空腔，再填充金属，其中气相前驱体是关键，因此核心受益品种为钼前驱体。

当前全球半导体级钼前驱体市场规模很小，但预计2027-2028年将进入快速放量阶段。

2030年预计半导体新增钼需求约334吨，相对于全球30万吨钼供给可忽略，但对比现有高纯钼粉产能（约5000吨/年）而言是实质性增量。

图：产业链数据总结

全球通过三星、SK海力士认证的供应商仅3-5家，其定价逻辑将与大宗钼铁脱钩，转向溢价模式。

因此，“以钼代钨”的核心逻辑在于高纯溢价与供给认证壁垒，而非总量冲击。

（4）供给弹性低，钼价有望继续上行

全球钼供给约40%源自南美铜矿伴生（秘鲁、智利），25-30%来自中国独立钼矿，其余来自北美。

伴生钼产量由铜矿主矿采选计划决定，不受钼价影响，导致钼的供给弹性在结构上显著低于多数有色金属。

2026年1-4月，秘鲁地区（约占全球产量10%）因能源紧缺，中国从秘鲁进口钼精矿同比下降16%。同期南美铜矿主矿商下调2026年铜产量指引，直接拖累伴生钼产量。

2026-2028年无明显新增产能，仅依赖沙坪沟钼矿和曹四夭钼矿两个超大型项目。

沙坪沟钼矿为亚洲最大钼矿，资源量210-246万吨，金钼股份持股34%，2025年完成环评，预计2029年投产，满产后权益年产约7500吨钼金属；曹四夭钼矿则需2028年后方可释放产量。

需求方面，传统钢铁领域需求稳健，叠加半导体新增量，机构普遍认为钼价有望突破2022年高点6500元/吨度。

图：产业链数据作图

（5）市场格局与重点标的

图：产业链数据作图

雅克科技：

雅克科技已与SK海力士达成涨价协议，自7月1日起Mo前驱体普涨20%以上，以海力士为标杆，其他客户（三星、YMTC、CXMT）有望跟进。

该公司为三星、海力士配套研发多年，质量评估与审厂工作陆续推进；同时配套固态前驱体的SFS传输设备已完成国内首台样机。

目前Mo前驱体收入规模有限，但若通过SK海力士及三星验证并进入量产采购，配合涨价，有望在2027-2028年贡献数亿元营收增量，利润弹性较高。

其他值得关注的标的如下表所示：

图：产业链数据总结

注：本报告旨在提供产业链知识学习，不构成任何投资建议。

综上，3D NAND产业链的核心演进方向是字线金属的钼替代与高纯钼供给壁垒，这为相关企业带来结构性机遇。本文仅供学习参考，不构成投资建议。