光电转换率大涨30%！思特威推出光互联新品：瞄准AI数据中心：2027年商用

2026年被业界视为光通信发展元年，随AI数据中心主流传输规格从800G向1.6T演进，“光铜并进”模式愈发明确，CPO与Micro LED光互连开始脱离概念验证，步入早期部署阶段。以往Micro LED主要聚焦高端电视、车载显示及AR眼镜领域，如今在AI数据中心迎来全新应用空间。

7月1日至3日，在上海慕尼黑电子展期间，某企业首次亮相其新一代高速光互联方案。该方案采用MicroLED作为光源替代传统激光器，成功将光电转换效率提升30%。

图：MicroLED高速光互联Demo

为何是Micro LED高速光互连可以破局？

该企业推出的高速光互联器件，是针对AI时代海量数据传输需求而诞生的低功耗、高可靠性与低磨损率光通信方案。与传统铜互连和激光互联方案相比，其采用MicroLED非激发辐射原理，通过宽并行架构实现传输。

与铜缆传输功耗大、高速率下传输距离受限不同，MicroLED光源在功耗和可靠性上优势明显。铜缆受电阻与趋肤效应限制，信号随距离增加急剧衰减；在224Gbps高速率下，有效传输距离不足1米，无法满足长距需求。当传输规格升至1.6T或3.2T时，铜缆甚至无法完成一米传输，因而在AI数据中心形成了“短距用铜，长距用光”的互补格局。

目前在CPO与AI数据中心光互连中，光源技术主要分为CW激光、VCSEL与Micro LED等路线。Micro LED光互连被认为更有可能进入机柜内短距离、高速传输场景，与现有激光光源形成差异化定位。Micro LED单路速率可提升，独特并行架构能增加通道数，从两个维度扩展带宽，因此在1.6T和3.2T规格中均具备适用性。

激光光通信偏重“窄而快”，800G方案通常为4路或8路，每路200G构成800G。每路对应一颗芯片、一个模组。该企业代表指出，MicroLED被看好的三大原因为：

一、采用非激发辐射方式，功耗低；二、虽然Micro LED单路速率低于激光（激光单路可达100Gb/s以上），但通过芯片内集成大量通道（如400路），实现总带宽提升（如800Gb/s）。这种扩展在芯片面积和功耗上代价较低，且设计初期即可定义；三、冗余设计，多通道架构允许预留冗余通道（如20%-30%），当部分通道故障时可实时切换备用路，保障系统稳定性，这是单通道激光方案难以实现的。

切入MicroLED高速光互联赛道，该企业具备三大优势

作为CIS领域的领先厂商，该企业切入MicroLED高速光互联赛道具有显著优势。首先，技术同源，深厚CIS及PD接收端技术经验可无缝迁移至光互联接收端；其次，异质集成，其异质集成工艺积累有助于解决系统级集成问题。MicroLED光互联系统为多系统耦合形态，CIS同样为异质集成形态，两者技术延续性较强。

此外，该企业此次展示的MicroLED高速光互联Demo已实现实时数据传输，现场演示单路3Gbps传输速率，典型功耗低至0.8pJ/bit，兼具高速与低能耗优势。相比某海外企业展示的仅能传输文字的成果，该Demo已支持文字、图片和视频传输，应用成熟度更高。该企业表示，MicroLED高速光互联方案有望在2027年实现商用落地。

Micro LED作为近年备受关注的光互连新路线，在10米以下的超短距离传输中具有显著价格优势。据市场分析机构观察，考虑产品规格制定、送样与验证时间，Micro LED CPO光收发模块最快在2028年下半年明显放量，预计2030年市场产值约8.48亿美元。

MicroLED高速光互联方案目前正处于发展初期，以部分国内厂商为代表的企业，有望在这一新兴赛道占据更有利的竞争位置并获得更大成长空间。